[发明专利]一种钨掺杂VS2在审

专利信息
申请号: 202310411162.3 申请日: 2023-04-17
公开(公告)号: CN116573670A 公开(公告)日: 2023-08-11
发明(设计)人: 黄剑锋;王怡婷;曹丽云;李嘉胤;王芳敏;王瑜航;姬宇;黄青青 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C01G31/00 分类号: C01G31/00;C01B17/02;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/58;H01M10/054;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 西安众和至成知识产权代理事务所(普通合伙) 61249 代理人: 行博宇
地址: 710021*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种钨掺杂VS2/S复合材料及其制备方法和应用,该方法包括:将钨源加完全溶解于水中;将偏钒酸铵加入到氨水中搅拌至没有沉淀物;将上述得到的溶液混合,并向其中加入表面活性剂,混合均匀后加入硫代乙酰胺得到混合溶液,将混合溶液转移至聚四氟乙烯反应釜中,后将反应釜置于均相反应仪中,在130~200℃充分反应15~24h,反应结束后随炉冷却至室温,得到红褐色的混合溶液G,清洗、干燥得到钨掺杂VS2/S粉体;采用管式炉再进行热处理最终得到黑色粉体即为钨掺杂VS2/S复合材料;采用简单的一步溶剂热法成功制备出在片层状VS2表面原位生长小尺寸的硫单质并掺杂钨的复合物,具有较好的钠离子存储性能,作为SIBs电极材料表现出优异的倍率性能和稳定性。
搜索关键词: 一种 掺杂 vs base sub
【主权项】:
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