[发明专利]La-Sn共掺杂钛酸铋基铁电薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202310367801.0 申请日: 2023-04-07
公开(公告)号: CN116283276A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 农永萍;胡明振;黄锦庆;唐祥俊 申请(专利权)人: 广西华锡集团股份有限公司
主分类号: C04B35/475 分类号: C04B35/475;C04B35/624;C04B35/64
代理公司: 广西南宁公平知识产权代理有限公司 45104 代理人: 黄永校
地址: 545006 广西壮*** 国省代码: 广西;45
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摘要: La‑Sn共掺杂的钛酸铋基铁电薄膜,该铁电薄膜材料的化学式为Bi4‑xLaxTi3‑ySnyO12,其中0<x≤1,0<y≤0.1。其制备方法步骤为:配制溶胶→制备前驱膜→快速热处理→铁电薄膜;该方法以水合硝酸铋、硝酸锡、水合硝酸镧和钛酸正四丁酯为前驱物,以柠檬酸为溶剂,以EDTA为螯合剂配制前驱液,经旋转涂覆后快速热处理制得光滑致密的Bi4‑xLaxTi3‑ySnyO12薄膜。该薄膜与Bi4Ti3O12和Bi4‑xLaxTi3O12薄膜相比,具有显著提高铁电剩余极化值和抗疲劳性能,该薄膜的制备工艺简单,无须昂贵的过渡金属有机盐,从而使其在非易失性铁电存储器领域具有广阔的应用前景。
搜索关键词: la sn 掺杂 钛酸铋基铁电 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
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