[发明专利]一种磁响应性光子晶体基元的尺寸调控方法及应用有效

专利信息
申请号: 202310361348.2 申请日: 2023-04-07
公开(公告)号: CN116106993B 公开(公告)日: 2023-07-18
发明(设计)人: 官建国;刘云 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: G02B1/00 分类号: G02B1/00;C30B28/04;C30B29/22;C30B29/60
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 石超群
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及光学功能材料制备技术领域,具体涉及一种磁响应性光子晶体基元的尺寸调控方法与应用。该基元为过渡金属元素掺杂的单分散、超顺磁胶体微纳米粒子,所述的胶体微纳米粒子是由小于10纳米的初级纳米晶通过多酚桥连作用聚集而成的多晶球形粒子,具有反尖晶石结构,采用多酚辅助溶剂热法制备,包括以下步骤:将多酚化合物、多元醇、含羰基的非离子型表面活性剂、三价铁盐或三价铁盐与其它过渡金属盐的混合物、碱混合均匀,得到前驱液;将上述前驱液在180~240℃下反应4~72小时后冷却,洗涤,即得。本发明的尺寸调控方法具有尺寸调控范围广、可控性及重复性好、操控简单高效、易于实现批量生产的优势。
搜索关键词: 一种 响应 光子 晶体 尺寸 调控 方法 应用
【主权项】:
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