[发明专利]单光子源和铌酸锂电光调制器异质集成器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202310355329.9 | 申请日： | 2023-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN116430610A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 李学诗;陈波;马剑涛;刘顺发;刘进 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | G02F1/017 | 分类号： | G02F1/017;G02F1/03;G02F1/035 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 高棋 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单光子源和铌酸锂电光调制器异质集成器件及其制造方法，涉及量子通信器件技术领域，包括有设置在基底上的铌酸锂波导、电极结构、光栅耦合器和带有量子点的纳米梁：其中所述铌酸锂波导包括有第一波导、第一波导分束器、第二波导、第三波导、第二波导分束器和第四波导；所述电极结构包括有信号电极和接地电极；所述纳米梁设置在第一波导上，所述光栅耦合器设置在第四波导上；其中第二波导和第三波导围成的空间中设置有信号电极，在第二波导的外侧和第三波导的外侧均设置有接地电极。本方法与传统技术相比，实现了单光子源与铌酸锂波导的混合集成。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 铌酸锂 电光 调制器 集成 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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