[发明专利]多栅结构场效应晶体管pH传感器及制造方法在审
| 申请号： | 202310353803.4 | 申请日： | 2023-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116429841A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;王宗辉;乌昕;黄旭东;金庆辉;唐波 | 申请（专利权）人： | 宁波水表（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/22 | 分类号： | G01N27/22 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张萌 |
| 地址： | 315000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多栅结构场效应晶体管pH传感器及制造方法，包括：基板、第一栅极、第一介电层、漏极、沟道层、源极、第三栅极、第二介电层和第二栅极；第二栅极为储液槽中的溶液和参比电极构成的液接式栅极；其中，基板的顶面设置有第一栅极；第一栅极的顶面设置有第一介电层；第一介电层的顶面设置有漏极、沟道层、源极；漏极、沟道层和源极的顶面设置有第二介电层；第二介电层的顶面设置有第二栅极；第一介电层的顶面还设置有第三栅极；本发明在第二介电层的顶面设置有储液槽，通过增加一个与沟道层处于同一平面的栅极，突破了传统的双栅结构，增强了晶体管的电容耦合的效果并提升了对pH值检测的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 场效应 晶体管 ph 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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