[发明专利]一种半导体器件模型的构建方法及系统在审
| 申请号： | 202310335098.5 | 申请日： | 2023-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116341453A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 孙锴;梁超越;贾涵博;申英俊;吴旦昱;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张雪娇 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件模型的构建方法及系统，该方法通过测试待构建模型的半导体器件在不同条件下的输入输出，得到多组输入输出I‑V数据，提取在不同条件下的输入输出I‑V数据中的饱和区数据、线性区数据，以及饱和区和线性区的分界点数据，并分别构建转移特性公式、线性区输出特性公式和饱和区输出特性公式；基于转移特性公式、线性区输出特性公式和饱和区输出特性公式构建半导体器件对应的半导体器件模型。通过将数据拟合引入了半导体器件建模领域，仅通过拟合半导体器件测试数据对半导体器件的输入输出I‑V特性进行描述，进而构建准确的半导体器件模型的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 模型 构建 方法 系统 | ||
【主权项】：
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