[发明专利]表面覆盖有LiF薄膜的钙钛矿薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202310317866.4 | 申请日： | 2023-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN116347962A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 陈丹;杨亚洲;叶正澜;刘香全;左玉华;郑军;刘智;成步文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H10K71/12 | 分类号： | H10K71/12;H10K71/15;H10K71/16;H10K30/00;C23C14/24;C23C14/06;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种表面覆盖有LiF薄膜的钙钛矿薄膜及其制备方法，涉及光电材料技术领域。该方法包括：步骤S1，制得初始钙钛矿薄膜；步骤S2，使用真空热蒸发法在该初始钙钛矿薄膜表面制备LiF薄膜，得到表面覆盖有LiF薄膜的钙钛矿薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 覆盖 lif 薄膜 钙钛矿 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310317866.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种石油废弃物管道式分离设备
- 下一篇：一种学前教育随机落棒游戏器
