[发明专利]一种抑制CZT晶体内部富碲夹杂缺陷及提高其电阻率的方法

摘要

本发明属于CZT晶体改性领域，公开了一种抑制CZT晶体内部富碲夹杂缺陷及提高其电阻率的方法。本发明采用双温区独立控制的卧式退火炉与开管退火相结合的退火方法，并以铟和碲作为退火源，高于富碲夹杂熔点的温度作为退火温度，氮气作为保护气氛，一步完成碲锌镉晶体的退火和元素扩散掺杂处理，以较短的退火时间，实现抑制晶体内部富碲夹杂的同时提高其电阻率的目的。本发明无需焊管处理，操作工序少，石英管可以重复利用，退火周期短，避免了两步法退火繁琐的工艺，效率高成本低，是一种更具实用性的退火方法。