[发明专利]适用于电极阵列外部区域的气液两相电阻抗分布成像方法在审
| 申请号： | 202310291331.4 | 申请日： | 2023-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN116203080A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 孙江涛;申梦娴;白旭;索鹏;徐立军 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04;G01N27/10;G01M10/00 |
| 代理公司： | 北京鑫瑞森知识产权代理有限公司 11961 | 代理人： | 史云聪 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种适用于电极阵列外部区域的气液两相电阻抗分布成像方法，包括：根据开域电场分布特点以及探测深度估计原则，确定边界电极个数及尺寸，将电极布置于开域边界，根据开域分布非连通的特点，通过电磁场仿真方法，利用主成分分析法，确定电学层析成像方法的最优电极序列，基于最优电极序列，获取所有最优电极序列对应的复阻抗信息，根据复阻抗信息，基于反演映射原理，结合电学层析成像算法，重建开域气液两相流电参数分布图像。本发明提供的适用于电极阵列外部区域的气液两相电阻抗分布成像方法，能够实现电极阵列外部区域气液两相复杂介质分布的可视化，突破了单模态电学测量方法重建精度和应用场景的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 电极 阵列 外部 区域 两相 阻抗 分布 成像 方法 | ||
【主权项】：
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