[发明专利]MOS电路仿真的直流分析方法、装置、设备及介质在审
| 申请号： | 202310256918.1 | 申请日： | 2023-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN116432578A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 金洲;冯田;吴枭;裴浩杰 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学（北京） |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F117/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 朱威武 |
| 地址： | 102249*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOS电路仿真的直流分析方法、装置、设备及介质，方法包括：获取预设的同伦参数；基于所述同伦参数和MOS晶体管的漏源电流，确定MOS电路的直流工作点；其中，所述漏源电流是基于所述MOS晶体管在直流分析中的等效电路确定的，所述直流工作点为对所述MOS电路进行仿真得到的仿真结果。本发明通过同伦参数对MOS电路加以有效限制，一方面可以加强其直流分析的收敛性，另一方面可以加快电路仿真中对于直流工作点的确定，大幅减少直流分析的电路仿真的时间，实现提升MOS电路仿真的直流分析中DC仿真效率。 | ||
| 搜索关键词： | mos 电路 仿真 直流 分析 方法 装置 设备 介质 | ||
【主权项】：
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