[发明专利]MOS电路仿真的直流分析方法、装置、设备及介质

权利要求书

1.一种MOS电路仿真的直流分析方法，其特征在于，包括：

获取预设的同伦参数；

基于所述同伦参数和MOS晶体管的漏源电流，确定MOS电路的直流工作点；

其中，所述漏源电流是基于所述MOS晶体管在直流分析中的等效电路确定的，所述直流工作点为对所述MOS电路进行仿真得到的仿真结果。

2.根据权利要求1所述的MOS电路仿真的直流分析方法，其特征在于，基于所述同伦参数和MOS晶体管的漏源电流，确定MOS电路的直流工作点，包括：

基于所述MOS晶体管的漏源电流，确定所述MOS晶体管的电流增益，所述漏源电流为所述MOS晶体管的漏极与源极之间的电流；

基于所述同伦参数，对所述MOS晶体管的电流增益的范围进行限制，以确定所述MOS电路的直流工作点。

3.根据权利要求2所述的MOS电路仿真的直流分析方法，其特征在于，基于所述同伦参数，对所述MOS晶体管的电流增益的范围进行限制，以确定所述MOS电路的直流工作点，包括：

基于所述同伦参数，对所述MOS晶体管的电流增益的范围进行限制，确定限制后的电流增益范围，所述限制后的电流增益范围小于限制前的电流增益范围；

基于所述限制后的电流增益范围，确定所述MOS电路的同伦解曲线路径；

基于所述同伦解曲线路径，确定所述MOS电路的直流工作点。

4.根据权利要求1所述的MOS电路仿真的直流分析方法，其特征在于，确定所述MOS晶体管的漏源电流，包括：

对所述MOS电路进行直流分析，确定所述MOS晶体管的漏源电流；或，

基于所述MOS晶体管的漏源电压、有效漏源电压和所述有效漏源电压对应的饱和漏源电流，确定所述MOS晶体管的漏源电流。

5.根据权利要求4所述的MOS电路仿真的直流分析方法，其特征在于，对所述MOS电路进行直流分析，确定所述MOS晶体管的漏源电流，包括：

对所述MOS电路进行直流分析，确定所述MOS晶体管的漏极电压和源极电压；

基于所述漏极电压和所述源极电压，确定所述MOS晶体管的漏源电压；

基于所述漏源电压，确定所述MOS晶体管的漏源电流。

6.根据权利要求1所述的MOS电路仿真的直流分析方法，其特征在于，在所述MOS电路中MOS晶体管对应的等效电路下的漏源电流和漏源电压成平方关系。

7.一种MOS电路仿真的直流分析装置，其特征在于，包括：

参数获取模块，用于获取预设的同伦参数；

直流分析模块，用于基于所述同伦参数和MOS晶体管的漏源电流，确定MOS电路的直流工作点；

其中，所述漏源电流是基于所述MOS晶体管在直流分析中的等效电路确定的，所述直流工作点为对所述MOS电路进行仿真得到的仿真结果。

8.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1至6任一项所述MOS电路仿真的直流分析方法。

9.一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至6任一项所述MOS电路仿真的直流分析方法。

10.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至6任一项所述MOS电路仿真的直流分析方法。