[发明专利]降低HKMG器件功函数层损伤的方法在审
| 申请号： | 202310245663.9 | 申请日： | 2023-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN116130420A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 许任辉;伏广才 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种降低HKMG器件功函数层损伤的方法，所述方法包括：步骤1)提供一半导体结构，包括衬底及形成于所述衬底上的多个半导体器件的栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层、功函数层及金属栅的层叠结构，其中，所述功函数层形成于所述栅介质层与所述金属栅之间，并呈U型位于所述金属栅的侧壁及底部；步骤2)于所述功函数层及所述金属栅的表面选择性生长金属阻挡层；步骤3)于步骤2)所形成结构的表面形成介质层；步骤4)图案化刻蚀所述介质层以于所述金属栅的上方形成接触孔。通过本发明解决了现有的HKMG器件形成接触孔的过程中损伤功函数层使得阈值电压漂移的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 hkmg 器件 函数 损伤 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
