[发明专利]一种双层SiO2

摘要

本发明公开了一种双层SiO2隔离的光电二极管结构、阵列及制造方法，其中一种双层SiO2隔离的光电二极管结构包括，衬底，所述衬底中设置有二氧化硅绝缘层；光电二极管，所述光电二极管设置于所述衬底中，所述光电二极管外设置有二氧化硅隔离层与衬底隔离；本发明的光电二极管阵列显示出更小的漏电电流，更小的噪声，更高的光响应灵敏度，以及与其他器件更好的兼容集成，且具有很强的实用性。