[发明专利]一种水溶性KDP晶体元件表面微缺陷DPN修复过程液桥全范围计算方法在审
| 申请号： | 202310241690.9 | 申请日： | 2023-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN116705198A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 程健;陈广;陈明君;赵林杰;王景贺;丁雯钰;徐文才;侯家锟;雷鸿钦 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G16C60/00 | 分类号： | G16C60/00;G06F30/17;G06F30/20;G06F17/11;G06F17/13;G06F111/14 |
| 代理公司： | 黑龙江立超同创知识产权代理有限责任公司 23217 | 代理人： | 杨立超 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种水溶性KDP晶体元件表面微缺陷DPN修复过程液桥全范围计算方法，属于微纳制造技术领域。为了解决现有方法不适用于高环境湿度下液桥会覆盖延伸到锥形主体区域，及液桥形貌曲线与元件表面接触点处的斜率接近无穷大的极端情况，同时计算纳米尺度液桥形貌的误差曲线存在双解现象，极易求得错误的结果。本发明将AFM针尖模型构建为针尖球头和锥形本体根据探针针尖、KDP晶体元件和液桥形貌曲线的几何关系，构建液桥形貌曲线的参数化常微分方程及探针针尖复合轮廓的几何方程；采用粗寻根和精寻根两个步骤，并结合二分法对液桥形貌曲线进行求解。本发明方法更适用于高环境湿度条件下水溶性KDP晶体元件DPN修复过程液桥形貌的计算。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 水溶性 kdp 晶体 元件 表面 缺陷 dpn 修复 过程 液桥全 范围 计算方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310241690.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
