[发明专利]一种低损耗铌酸锂波导及其制备方法在审
| 申请号： | 202310234071.7 | 申请日： | 2023-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN115951449A | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 张磊;王广庆;常林;隋军 | 申请（专利权）人： | 中科鑫通微电子技术（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/132;G02B6/136;G02B6/13;G02B6/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 彭伶俐 |
| 地址： | 100016 北京市朝阳区酒仙*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明涉及集成光电子学技术领域，尤其涉及一种低损耗铌酸锂波导及其制备方法。低损耗铌酸锂波导包括从下至上依次设置的衬底层、埋氧层、铌酸锂波导层、包覆层和上包层，包覆层包覆于铌酸锂波导层，上包层包覆于包覆层；包覆层的折射率等于铌酸锂波导层的折射率；低损耗铌酸锂波导以衬底层、埋氧层和铌酸锂波导层形成的LNOI基本结构为平台，在铌酸锂波导层上沉积包覆层，能够有效填充和修复LiNbO |
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| 搜索关键词： | 一种 损耗 铌酸锂 波导 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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