[发明专利]超导-磁电阻复合磁传感器的量程扩展方法及测量装置在审

专利信息
申请号: 202310205121.9 申请日: 2023-03-06
公开(公告)号: CN116148726A 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 杜青法;杨澜;胡佳飞;潘孟春;李裴森;罗慧慧;丁增权;柳俊威;彭俊平 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科技大学
主分类号: G01R33/00 分类号: G01R33/00;G01R33/035;G01R33/09
代理公司: 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 代理人: 谭武艺
地址: 410073 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种超导‑磁电阻复合磁传感器的量程扩展方法及测量装置,本发明包括获取超导‑磁电阻复合磁传感器的输出电压,每当输出电压为饱和输出电压Vr时,向超导‑磁电阻复合磁传感器生成大小为Br/2、与饱和磁场方向一致的补偿磁场,使超导‑磁电阻复合磁传感器在脉冲激励的脉冲上升沿进入饱和区、在脉冲激励的脉冲下降沿变化到线性区中间值位置,并根据最终的输出电压Vt且脉冲激励次数n以及Vx=n×Vr+Vt计算检测输出电压Vx。发明能够解决超导‑磁电阻复合磁传感器量程有限的问题,在满足结构简单、体积小的前提上能够实现对超导‑磁电阻复合磁传感器的量程扩展,从而实现高分辨力与宽量程兼容。
搜索关键词: 超导 磁电 复合 传感器 量程 扩展 方法 测量 装置
【主权项】:
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