[发明专利]超导-磁电阻复合磁传感器的量程扩展方法及测量装置在审
| 申请号: | 202310205121.9 | 申请日: | 2023-03-06 |
| 公开(公告)号: | CN116148726A | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
| 发明(设计)人: | 杜青法;杨澜;胡佳飞;潘孟春;李裴森;罗慧慧;丁增权;柳俊威;彭俊平 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号: | G01R33/00 | 分类号: | G01R33/00;G01R33/035;G01R33/09 |
| 代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 谭武艺 |
| 地址: | 410073 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 超导 磁电 复合 传感器 量程 扩展 方法 测量 装置 | ||
1.一种超导-磁电阻复合磁传感器的量程扩展方法,其特征在于,包括:
S101,获取超导-磁电阻复合磁传感器在被测磁场x中的输出电压,每当输出电压增加到达饱和输出电压Vr时,向超导-磁电阻复合磁传感器的补偿线圈施加一个脉冲激励以形成大小为Br/2、方向与饱和磁场方向一致的补偿磁场,使得超导-磁电阻复合磁传感器先在脉冲激励的脉冲上升沿进入饱和区、再在脉冲激励的脉冲下降沿变化到线性区中间值位置以扩展大小为Br/2的量程,其中Br为饱和磁场的大小;且在输出电压的值为小于饱和输出电压Vr的输出电压Vt且不再增加时,跳转步骤S102;
S102,根据Vx=n×Vr+Vt计算得到被测磁场x对应的检测输出电压Vx,其中n为得到输出电压Vt之前施加脉冲激励的次数。
2.根据权利要求1所述的超导-磁电阻复合磁传感器的量程扩展方法,其特征在于,步骤S101中脉冲激励的周期大于0且小于一接近0的预设阈值。
3.根据权利要求2所述的超导-磁电阻复合磁传感器的量程扩展方法,其特征在于,步骤S102中计算得到被测磁场x对应的检测输出电压Vx之后还包括根据查询检测输出电压Vx、磁场之间的关系曲线以获得被测磁场x对应的磁场大小Bx。
4.根据权利要求1所述的超导-磁电阻复合磁传感器的量程扩展方法,其特征在于,步骤S101之前还包括对超导-磁电阻复合磁传感器确定饱和输出电压Vr和饱和磁场的大小Br。
5.根据权利要求4所述的超导-磁电阻复合磁传感器的量程扩展方法,其特征在于,所述确定饱和输出电压Vr和饱和磁场的大小Br包括:
S201,对超导-磁电阻复合磁传感器施加不同大小的垂向磁场,获得超导-磁电阻复合磁传感器在不同大小的垂向磁场下的磁场-输出电压曲线;
S202,根据磁场-输出电压曲线超导-磁电阻复合磁传感器的饱和区域,根据饱和区域确定饱和磁场的大小Br以及饱和输出电压Vr。
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