[发明专利]超导-磁电阻复合磁传感器的量程扩展方法及测量装置在审

专利信息
申请号: 202310205121.9 申请日: 2023-03-06
公开(公告)号: CN116148726A 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 杜青法;杨澜;胡佳飞;潘孟春;李裴森;罗慧慧;丁增权;柳俊威;彭俊平 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科技大学
主分类号: G01R33/00 分类号: G01R33/00;G01R33/035;G01R33/09
代理公司: 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 代理人: 谭武艺
地址: 410073 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 超导 磁电 复合 传感器 量程 扩展 方法 测量 装置
【权利要求书】:

1.一种超导-磁电阻复合磁传感器的量程扩展方法,其特征在于,包括:

S101,获取超导-磁电阻复合磁传感器在被测磁场x中的输出电压,每当输出电压增加到达饱和输出电压Vr时,向超导-磁电阻复合磁传感器的补偿线圈施加一个脉冲激励以形成大小为Br/2、方向与饱和磁场方向一致的补偿磁场,使得超导-磁电阻复合磁传感器先在脉冲激励的脉冲上升沿进入饱和区、再在脉冲激励的脉冲下降沿变化到线性区中间值位置以扩展大小为Br/2的量程,其中Br为饱和磁场的大小;且在输出电压的值为小于饱和输出电压Vr的输出电压Vt且不再增加时,跳转步骤S102;

S102,根据Vx=n×Vr+Vt计算得到被测磁场x对应的检测输出电压Vx,其中n为得到输出电压Vt之前施加脉冲激励的次数。

2.根据权利要求1所述的超导-磁电阻复合磁传感器的量程扩展方法,其特征在于,步骤S101中脉冲激励的周期大于0且小于一接近0的预设阈值。

3.根据权利要求2所述的超导-磁电阻复合磁传感器的量程扩展方法,其特征在于,步骤S102中计算得到被测磁场x对应的检测输出电压Vx之后还包括根据查询检测输出电压Vx、磁场之间的关系曲线以获得被测磁场x对应的磁场大小Bx

4.根据权利要求1所述的超导-磁电阻复合磁传感器的量程扩展方法,其特征在于,步骤S101之前还包括对超导-磁电阻复合磁传感器确定饱和输出电压Vr和饱和磁场的大小Br

5.根据权利要求4所述的超导-磁电阻复合磁传感器的量程扩展方法,其特征在于,所述确定饱和输出电压Vr和饱和磁场的大小Br包括:

S201,对超导-磁电阻复合磁传感器施加不同大小的垂向磁场,获得超导-磁电阻复合磁传感器在不同大小的垂向磁场下的磁场-输出电压曲线;

S202,根据磁场-输出电压曲线超导-磁电阻复合磁传感器的饱和区域,根据饱和区域确定饱和磁场的大小Br以及饱和输出电压Vr

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