[发明专利]一种基于压电超晶格的场可调的声开关及其制作方法在审
| 申请号： | 202310200780.3 | 申请日： | 2023-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN116193966A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 唐政华;郑莹美;何姜;罗阳炫 | 申请（专利权）人： | 湘南学院 |
| 主分类号： | H10N30/08 | 分类号： | H10N30/08;H10N30/853;H10N30/045;H10N30/03;H10N30/00;H04R17/00 |
| 代理公司： | 长沙麓创时代专利代理事务所(普通合伙) 43249 | 代理人： | 张丽 |
| 地址： | 423000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于压电超晶格的场可调的声开关及其制作方法，包括若干锆钛酸铅薄膜，所述锆钛酸铅薄膜通过绝缘黏贴物沿锆钛酸铅薄膜的X轴方向依次黏贴固定在一起形成压电超晶格；锆钛酸铅薄膜均沿Z轴方向进行极化，且相邻锆钛酸铅薄膜的极化方向相反，所述压电超晶格沿锆钛酸铅薄膜的Z轴方向布设有直流外加电场从而形成声开关，通过控制直流外加电场的大小，控制沿锆钛酸铅薄膜的X轴入射的声波的禁带和通带。本发明所提出的基于压电超晶格的声开关可以控制10GHz声波，且外加直流电场对禁带的调节是连续的、可逆的，且禁带调节范围可达0.9GHz。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 压电 晶格 可调 开关 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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