[发明专利]横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路有效
| 申请号： | 202310192045.2 | 申请日： | 2023-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN115911100B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 余山;陈燕宁;刘芳;鹿祥宾;朱松超;李君建;安铁雷;连亚军;董子斌 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 封瑛 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：初始衬底；阱区，形成于初始衬底；体区和漂移区，形成于阱区；源极，形成于体区靠近漂移区一侧；载流子吸附层，形成于体区，载流子吸附层为横向延伸的非平坦构型，载流子吸附层的一端延伸至体区远离漂移区一侧，另一端延伸至源极并紧贴源极底部，载流子吸附层为第一导电类型离子重掺杂；二氧化硅隔离层，形成于阱区，并位于体区底部；漏极，形成于漂移区；栅极，形成于体区上；场板，形成于漂移区上。通过本发明提供的晶体管，能够减少载流子在体区内聚集，提高横向双扩散场效应晶体管的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 场效应 晶体管 制作方法 芯片 电路 | ||
【主权项】：
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