[发明专利]一种电子束光刻方法和半导体器件在审
| 申请号： | 202310181916.0 | 申请日： | 2023-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN116047873A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 徐剑;韦亚一;杨尚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所有限公司 11386 | 代理人： | 张同玲 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电子束光刻方法和半导体器件，属于半导体器件制备技术领域，解决了现有技术中利用辅助图形修正邻近效应时会占用额外的版图面积，不利于器件高密度集成的问题。所述方法包括如下步骤：步骤A：在衬底上形成光刻胶层；步骤B：通过曝光和显影在光刻胶层上形成器件图形和辅助图形，其中，所述器件图形和所述辅助图形采用不同等级的剂量曝光，使辅助图形在显影工艺中不被完全显影，进而使辅助图形在后续刻蚀过程中不被刻蚀到衬底上；步骤C：刻蚀，在衬底上形成器件图形；步骤D：去除衬底表面残留的光刻胶。该方法不仅可以修正邻近效应，还可以避免辅助图形占用额外的衬底面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子束光刻 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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