[发明专利]半导体器件中的钨填充方法有效
| 申请号： | 202310161018.9 | 申请日： | 2023-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN115831867B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 卢金德;庄琼阳;贾晓峰;陈献龙 | 申请（专利权）人： | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23C16/14;C23C16/44 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘婧 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件中的钨填充方法，包括：提供具有待填充区的目标膜层；在化学气相沉积方法的第一温度下通入乙硼烷，其在待填充区内形成硼膜层；通入第一六氟化钨与硼膜层进行反应，在待填充区内形成第一钨膜层；在第二温度下通入第一氢气和第二六氟化钨，并进行反应，在第一钨膜层上形成第二钨膜层；将目标膜层传至第三温度下，通入第二氢气和第三六氟化钨，并进行反应，在第二钨膜层上形成第三钨膜层；将目标膜层传至第二温度下，并通入第三氢气和第四六氟化钨进行反应，在第三钨膜层上形成第四钨膜层，第一温度为280‑310℃，第二温度为300‑350℃，第三温度为380‑420℃，以减小钨塞中的空洞或缝隙的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 中的 填充 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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