[发明专利]LOD效应模型的优化方法、集成电路的制造方法有效
| 申请号： | 202310092683.7 | 申请日： | 2023-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN115774975B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 刘晓兰;江丰顺 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/331 | 分类号： | G06F30/331;G01R31/26;G06F30/392 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种LOD效应模型的优化方法、集成电路的制造方法。所述方法包括构建待测晶体管器件的结构；所述待测晶体管器件包括第一晶体管器件；基于所述第一晶体管器件，得到基本电流电压模型的第一模型参数；基于所述第一晶体管器件的版图参数，调整所述第一模型参数，得到第二模型参数；将所述第二模型参数应用到LOD效应模型中，得到优化后的LOD效应模型。采用本方法能够消除版图参数相同的两个晶体管器件，采用基本电流电压模型和LOD效应模型提取的测试数据存在差异，导致LOD模型的实测数据与仿真数据无法完全拟合的问题，从而更精确的提取LOD效应对晶体管器件带来的影响。 | ||
| 搜索关键词： | lod 效应 模型 优化 方法 集成电路 制造 | ||
【主权项】：
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