[发明专利]一种适用于片上电源滤波的高密度电容及其实现方法在审
| 申请号： | 202310090461.1 | 申请日： | 2023-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN116314351A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 罗将;赵镇鑫;张智;刘军 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L23/64;H10N97/00 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 朱亚冠 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种适用于片上电源滤波的高密度电容及其实现方法。本发明所涉及的高密度的片上电容，包括有源MOS电容和无源MOM电容两部分。其中，有源MOS电容通过一个大尺寸MOS晶体管实现，MOS晶体管的栅极和供电金属平面连接，MOS晶体管的源极和漏极和地平面并接，当供电金属平面施加正向电压时，MOS管的栅极和其源极与漏极之间形成显著的大电容效应。MOM电容通过多层金属垂直堆叠的交叉插指电容阵列实现。在电气连接方式上，有源MOS电容和无源MOM电容以并联的方式连接共同作用，在紧凑的尺寸内实现极高的电容密度，而且结构紧凑，占用面积小，制造成本低，兼容于多种半导体工艺，易于大规模集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 电源 滤波 高密度 电容 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
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