[发明专利]高线性度与共模抑制的转导放大器在审

专利信息
申请号: 202310077989.5 申请日: 2023-02-01
公开(公告)号: CN116896340A 公开(公告)日: 2023-10-17
发明(设计)人: 林嘉亮 申请(专利权)人: 瑞昱半导体股份有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45;H03F1/32
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 本申请涉及高线性度与共模抑制的转导放大器。转导放大器包含:一第一MOS晶体管,用来依据一第三节点的一第三电压,于一第一节点接收一第一电压,以及输出一第一电流至一第五节点;一第二MOS晶体管,用来依据一第四节点的一第四电压,于一第二节点接收一第二电压,以及输出一第二电流至一第六节点;一第三MOS晶体管,用来依据该第五节点的一第五电压,输出一第三电流至该第三节点;一第四MOS晶体管,用来依据该第六节点的一第六电压,输出一第四电流至该第四节点;以及一源极退化网络,设置于该第三节点与该第四节点之间。
搜索关键词: 线性 与共 抑制 转导 放大器
【主权项】:
暂无信息
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