[发明专利]一种羟烃基封端聚硅氧烷的简单制备方法在审
| 申请号： | 202310074340.8 | 申请日： | 2023-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN116284785A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 冯圣玉;王灯旭;张洁;周德波;赵培健;伊港 | 申请（专利权）人： | 山东大学;山东东岳有机硅材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C08G77/06 | 分类号： | C08G77/06;C08G77/16 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种羟烃基封端聚硅氧烷的简单制备方法，本发明直接以二甲基氯硅烷与含双键的醇为原料，二甲基氯硅烷与含双键的醇先进行醇解反应，醇解产物自身发生硅氢加成反应，然后与羟基封端聚硅氧烷反应，避免了开环聚合方法中羟基发生的副反应，以及现有技术中需进行硅氢加成法合成氢封端聚硅氧烷的步骤，且省去了现有的羟基保护和脱保护的反应步骤，具有成本低、操作简便、反应条件温和、后处理简单、产品批次稳定性易控制、产品质量好、实用性强等优点，适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 羟烃基封端聚硅氧烷 简单 制备 方法 | ||
【主权项】：
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