[发明专利]一种硒化铅量子点薄膜的制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202310062724.8 | 申请日： | 2023-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN116133494A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 朱焘;谢哲文;祝星;张希尧;李天蕊;唐浩瑞;胡丹阳;陈柱;朱勇;常雄 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | H10K71/12 | 分类号： | H10K71/12;H10K71/00;H10K30/60;H10K30/85 |
| 代理公司： | 北京成实知识产权代理有限公司 11724 | 代理人： | 钟斌 |
| 地址： | 650093 云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硒化铅量子点薄膜的制备方法及其应用，制备方法：将原料真空加热搅拌脱气，120℃保温；硒粉、TOP、DPP制备硒前驱体溶液；油酸铝溶液加热快速注入硒前驱体溶液并保持，冷却至室温；OA‑PbSe量子点溶于辛烷中；EDT溶于ACN溶液，TBAI溶于甲醇溶液；OA‑PbSeQD辛烷溶液旋转制备出OA‑PbSeQD薄膜，冲洗，再洗去有机配体；重复即得量子点薄膜，作为宽带光电探测器的空穴阻挡层。本发明在室温下合成新的硒化铅量子点，使得光电探测器的光谱响应范围为350至2500nm，并且通过引入共轭聚电解质薄层，显著提高了该宽带光电探测器的外量子效率和探测率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硒化铅 量子 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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