[发明专利]一种基于铌酸锂薄膜波导的旋光晶体耦合偏振无关双向相位调制器在审
| 申请号： | 202310060171.2 | 申请日： | 2023-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN116430606A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 杨登才;李子琰;王智勇;杨锋;张旭涛;宝剑锋 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02F1/095;G02F1/03;G02F1/035;H04B10/70;H04L9/08;H04B10/556 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于铌酸锂薄膜波导的旋光晶体耦合偏振无关双向相位调制器，属于光量子集成器件技术、光学微纳加工和量子通讯领域。为了解决量子密钥成码速率受偏振无关调制器的双向调制速率以及不等臂干涉延时的限制，本发明在铌酸锂薄膜材料上集成双向相位调制器、片上延时波导、光场变换器以及偏振旋转器。在延时波导输出端的波导端面贴合光场变换器，并集成偏振旋转器实现光偏振态的旋转。光信号通过光纤传入波导，首先经过双向相位调制器完成一次调制后进入延时波导，再进入光场变换器中，扩大光模场后进入偏振旋转器，到达高反射膜再反射回波导，光信号完成偏振态旋转90°实现低延时大带宽偏振无关双向相位调制，提升量子密钥成码率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 铌酸锂 薄膜 波导 晶体 耦合 偏振 无关 双向 相位 调制器 | ||
【主权项】：
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