[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202310058320.1 | 申请日： | 2023-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN116779658A | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 佃荣次;河合彻;天羽生淳 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及一种半导体器件。半导体器件被设置有包括半导体衬底、铁电层和半导体层的SOI衬底，并且具有在其中形成第一MISFET的第一区域。第一MISFET包括：在第一区域中的半导体衬底；在第一区域中的铁电层；在第一区域中的半导体层；第一栅极绝缘膜，被形成在第一区域中的半导体层上；第一栅极电极，被形成在第一栅极绝缘膜上；第一源极区，位于第一栅极电极的一侧并且被形成在第一区域中的半导体层中；以及第一漏极区，位于第一栅极电极的另一侧并且被形成在第一区域中的半导体层中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310058320.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
