[发明专利]一种铱单原子修饰的氢氧化钴纳米片及其制备方法和应用在审
申请号: | 202310053758.0 | 申请日: | 2023-02-03 |
公开(公告)号: | CN116005193A | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 张友魁;高叶丽;罗兆涵;曾俊博;蒲玉娟;段涛 | 申请(专利权)人: | 西南科技大学 |
主分类号: | C25B11/091 | 分类号: | C25B11/091;C25B1/04;C01G51/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人: | 庄华红 |
地址: | 621010 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明属于催化剂材料技术领域,尤其涉及一种铱单原子修饰的氢氧化钴纳米片及其制备方法和应用,所述方法为:以无定形氢氧化钴纳米片为前驱体,将其均匀分散于水溶剂A中,获得溶液A;向溶液A中加入铱源混合均匀,获得溶液B;将所述溶液B进行紫外光照射处理,使金属铱以单原子形式负载于所述无定形氢氧化钴纳米片上,获得混合物A;将所述混合物A固液分离后,获得固体组分A,对所述固体组分A依次进行洗涤处理、冷冻干燥处理,即获得所述铱单原子修饰的氢氧化钴纳米片。本发明方法操作简单,反应条件温和,能大量合成,节能且节约成本,有利于推广使用。 | ||
搜索关键词: | 一种 原子 修饰 氢氧化 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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