[发明专利]一种铱单原子修饰的氢氧化钴纳米片及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种铱单原子修饰的氢氧化钴纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，以无定形氢氧化钴纳米片为前驱体，将其均匀分散于水溶剂A中，获得溶液A；

步骤2，向溶液A中加入铱源混合均匀，获得溶液B；

步骤3，将所述溶液B进行紫外光照射处理，使金属铱以单原子形式负载于所述无定形氢氧化钴纳米片上，获得混合物A；

步骤4，将所述混合物A固液分离后，获得固体组分A，对所述固体组分A依次进行洗涤处理、冷冻干燥处理，即获得所述铱单原子修饰的氢氧化钴纳米片。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述无定形氢氧化钴纳米片与所述水溶剂A的用量比为0.8～1.2mg:1mL。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铱源为氯化铱。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铱源与所述溶液A中无定形氢氧化钴纳米片的用量比为0.005～0.03mmol:50mg。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述紫外光照射处理的时间为0.5～1.5h。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述无定形氢氧化钴纳米片通过以下步骤制得：

S1、将钴盐均匀分散于水溶剂B中，随后加入NaBH₄混合均匀，获得混合物B；

S2、将所述混合物B固液分离，获得固体组分B，将所述固体组分B洗涤后冷冻干燥，即获得所述无定形氢氧化钴纳米片。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述钴盐为氯化钴或硝酸钴。

8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述钴盐与所述水溶剂B的用量比为0.8～1.2mmol:100mL；

所述NaBH₄与所述钴盐的摩尔比为3～5:1。

9.一种权利要求1-8任意一项所述的制备方法制备的铱单原子修饰的氢氧化钴纳米片，其特征在于，包括无定形的氢氧化钴纳米片，以及所述无定形的氢氧化钴纳米片上的铱单原子。

10.一种权利要求9所述的铱单原子修饰的氢氧化钴纳米片在用于电催化水分解产氧催化剂中的应用。