[发明专利]一种基于ARM总线提高RAM连续读写效率的方法在审
| 申请号： | 202310048071.8 | 申请日： | 2023-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN116049049A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 崔炳磊;沈怪皓;潘静;张景晨 | 申请（专利权）人： | 上海中基国威电子股份有限公司;广州中基国威电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 上海汇齐专利代理事务所(普通合伙) 31364 | 代理人： | 陈燕 |
| 地址： | 200000 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于ARM总线提高RAM连续读写效率的方法，包括如下所述步骤：S1、增加写操作缓冲器，在RAM接口模块的基础上，增加一组支持地址指针的写操作缓冲器；S2、数据保存，当遇到“先写后读”的连续访问时，将RAM写入的地址和数据保存在写操作缓冲器内；S3、判断并执行相应操作，通过判断写入和读取的访问地址是否一致，来执行不同操作。本发明通过在RAM接口模块的基础上，增加一组支持地址指针的写操作缓冲器。当遇到“先写后读”的连续访问时，将RAM写入的地址和数据保存在写操作缓冲器内，实现0延迟的RAM连续读写访问。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 arm 总线 提高 ram 连续 读写 效率 方法 | ||
【主权项】：
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