[发明专利]非极性面GaN基太赫兹量子级联激光器及其有源区结构

摘要

本发明公开了一种非极性面GaN基太赫兹量子级联激光器的有源区结构，其特征在于所述有源区存在多个三阱结构的周期，其中势阱层为GaN，势垒层为AlGaN。以及相应的非极性面GaN基太赫兹量子级联激光器。还公开了二阱结构的有源区结构及激光器。本发明公开了两种基于非极性面GaN的三阱共振声子和两阱声子散射注入太赫兹量子级联激光器有源区结构，当掺杂为6×1010cm‑2时，两种结构在10K时的峰值增益分别为90.1和91.3cm‑1，在300K下，在8.2和7.7太赫兹处获得了41.8和44.2cm‑1的峰值增益，这高于计算的双金属波导损耗。总的结果表明，在室温下，GaN基太赫兹量子级联激光器在8太赫兹左右是可能的。