[发明专利]绝缘硅上锗结构衬底的制备方法在审
| 申请号： | 202310040644.2 | 申请日： | 2023-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN116013845A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 任慧雪;伍绍腾;骆军委 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 郭梦雅 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造及微电子器件领域，具体涉及一种绝缘硅上锗结构衬底的制备方法，包括：对第二晶圆进行氢离子注入，并通过退火来修复晶格损伤；在第二晶圆的离子注入面外延生长锗薄膜；在第一晶圆及第二晶圆的锗薄膜表面分别沉积第一介质层和第二介质层；对抛光后的第一介质层和第二介质层表面进行氧等离子体处理，然后用液体浸润介质层表面并吹干；将第一介质层和第二介质层对准并键合，形成晶圆结合体；对晶圆结合体进行退火处理，使第二晶圆从离子注入面断裂，在晶圆结合体上形成断裂面；对晶圆结合体的断裂面的硅进行刻蚀，使锗薄膜完全裸露；对锗薄膜进行化学机械抛光，形成绝缘体上锗结构衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 硅上锗 结构 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310040644.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
