[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202310037699.8 | 申请日： | 2023-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN116261329A | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 傅昭伦;陈孝炳 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 郑哲琦;吴昊 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体器件，包括：衬底、支撑层和多个下电极；在支撑层和多个下电极的一个俯视图中，多个下电极在第一方向与第二方向彼此相互分离排列，同一列下电极在第二方向对准设置，任意相邻两列下电极在第一方向错位排列；在俯视图中，存在最边缘的连续四列下电极，其按照由外朝内的方向依次为第一列下电极、第二列下电极、第三列下电极和第四列下电极，第一列下电极具有第一底部位置，第二列下电极具有第二底部位置，第三列下电极具有第三底部位置，第四列下电极具有第四底部位置；其中，第一底位置与第三底位置在第一方向彼此对齐，第四底位置低于第一底部位置，第二底位置高于第一底位置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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