[发明专利]一种二维超导纳米集成电路的无损制备方法在审
| 申请号： | 202310032119.6 | 申请日： | 2023-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN116075207A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 张蜡宝;汪潇涵;王昊;马良;杨焯林 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H10N60/01 | 分类号： | H10N60/01;H10N60/80;H10N60/85;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 刘红阳 |
| 地址： | 210009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二维超导纳米集成电路的无损制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：首先在基底上生长出超薄过渡金属薄膜；接着利用电子束曝光和反应离子刻蚀得到超导金属薄膜的纳米集成电路器件；随后利用拓扑化学转化法原位将金属薄膜纳米器件转变成二维超导薄膜的纳米集成器件；最后在器件上生长一层绝缘材料即可得到二维超导纳米集成电路。本发明有效避免了传统微纳加工流程对低维材料的损伤作用，实现对多种低维材料器件的无损制备。同时，利用本方案可以实现多种器件结构制备，进而进行调控器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 超导 纳米 集成电路 无损 制备 方法 | ||
【主权项】：
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