[发明专利]真空灭弧室触头结构在审

专利信息
申请号: 202310028580.4 申请日: 2023-01-09
公开(公告)号: CN116313628A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 吴益飞;杨飞;顾展布;孙晋茹;荣命哲;吴翊;纽春萍 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01H33/664 分类号: H01H33/664
代理公司: 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 代理人: 覃婧婵
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种真空灭弧室触头结构,真空灭弧室触头结构中,静触头设于所述静导电杆的底端,所述静触头具有第一直径,动触头对齐所述静触头,所述动触头具有小于第一直径的第二直径,动导电杆自所述动触头远离所述静触头的一端延伸,纵磁触头套设于动触头的外围且相对于所述动触头可移动,所述纵磁触头具有中空的第二直径的内径和第三直径的外径,触头基座自所述纵磁触头远离静触头一端延伸,所述触头基座远离静触头的一端内侧设有凹槽,凹槽内设置抵接动导电杆的弹簧触指,触头基座和动导电杆形成并联关系使得纵磁触头和动触头等电位且可相对运动。
搜索关键词: 真空 灭弧室触头 结构
【主权项】:
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