[发明专利]真空灭弧室触头结构在审

专利信息
申请号: 202310028580.4 申请日: 2023-01-09
公开(公告)号: CN116313628A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 吴益飞;杨飞;顾展布;孙晋茹;荣命哲;吴翊;纽春萍 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01H33/664 分类号: H01H33/664
代理公司: 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 代理人: 覃婧婵
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 真空 灭弧室触头 结构
【说明书】:

发明公开了一种真空灭弧室触头结构,真空灭弧室触头结构中,静触头设于所述静导电杆的底端,所述静触头具有第一直径,动触头对齐所述静触头,所述动触头具有小于第一直径的第二直径,动导电杆自所述动触头远离所述静触头的一端延伸,纵磁触头套设于动触头的外围且相对于所述动触头可移动,所述纵磁触头具有中空的第二直径的内径和第三直径的外径,触头基座自所述纵磁触头远离静触头一端延伸,所述触头基座远离静触头的一端内侧设有凹槽,凹槽内设置抵接动导电杆的弹簧触指,触头基座和动导电杆形成并联关系使得纵磁触头和动触头等电位且可相对运动。

技术领域

本发明涉及真空灭弧室技术领域,尤其涉及一种真空灭弧室触头结构。

背景技术

随着电力系统的不断发展,开关电器在电力系统中扮演的角色愈发重要。真空灭弧室作为真空断路器中的核心结构,承担着引弧和灭弧的重要职责。近些年来,随着真空开关在高电压、大电流的电力系统中的应用越来越普遍,对于真空灭弧室的性能要求也越来越高。真空灭弧室通过特定的触头结构,能够使得在触头之间形成的电弧电流产生平行于它们的纵向磁场,纵向磁场作用于电弧电流,能够使得在阳极附近的离子大大增加,降低电弧电压,减少对于触头的烧蚀,使得扩散型电弧转向集聚型电弧,提高真空灭弧室的灭弧能力。为了提高灭弧性能,真空灭弧室通常会通过增大触头直径的方式,但是一味地增大触头直径会导致触头质量过大,浪费过多的操作功,还会导致机构的负荷过大,久而久之会影响真空灭弧室整体的寿命。

在背景技术部分中公开的上述信息仅仅用于增强对本发明背景的理解,因此可能包含不构成本领域普通技术人员公知的现有技术的信息。

发明内容

本发明的目的是提供一种真空灭弧室触头结构,有效减少了动触头机构的负荷,有效提高了灭弧性能,在由触头结构形成的纵向磁场的作用下,真空电弧能够更快地熄灭,减轻触头烧蚀及灭弧室其他零件的烧蚀情况。

为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

本发明的一种真空灭弧室触头结构包括,

静导电杆;

静触头,其设于所述静导电杆的底端,所述静触头具有第一直径;

动触头,其对齐所述静触头,所述动触头具有小于第一直径的第二直径;

动导电杆,其自所述动触头远离所述静触头的一端延伸;

纵磁触头,其套设于动触头的外围且相对于所述动触头可移动,所述纵磁触头具有中空的第二直径的内径和第三直径的外径;

触头基座,其自所述纵磁触头远离静触头一端延伸,所述触头基座远离静触头的一端内侧设有凹槽,凹槽内设置抵接动导电杆的弹簧触指,触头基座和动导电杆形成并联关系使得纵磁触头和动触头等电位且可相对运动。

所述的真空灭弧室触头结构中,静触头、动触头和纵磁触头的侧壁上沿其周向方向均匀分布若干个斜槽。

所述的真空灭弧室触头结构中,所述静触头和动触头为中空结构。

所述的真空灭弧室触头结构中,第三直径等于第一直径。

所述的真空灭弧室触头结构中,纵磁触头的放置高度低于动触头,当静触头与动触头分离时,纵磁触头与动触头大致在同一高度。

所述的真空灭弧室触头结构中,纵磁触头与触头基座焊接在真空灭弧室上。

所述的真空灭弧室触头结构中,静触头和所述静导电杆同轴连接,动导电杆和动触头同轴连接,触头基座和所述纵磁触头同轴连接。

所述的真空灭弧室触头结构中,静触头、动触头和所述纵磁触头共轴。

所述的真空灭弧室触头结构中,所述静触头与动触头相接触的表面均设有触头片。

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