[发明专利]一种离子共掺的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法在审
| 申请号： | 202310025830.9 | 申请日： | 2023-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN116130342A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 王思宇;陈琦;马云鹏 | 申请（专利权）人： | 天津商业大学 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 仝林叶 |
| 地址： | 300134 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种离子共掺的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法，该离子共掺的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法，包括：在Mo电极上沉积金属预置层薄膜；在硒化过程中引入碱金属硫化物作为碱金属源和硫源，对铜基吸收层薄膜进行碱金属和硫离子共掺，获得碱金属和硫离子共掺的铜基薄膜太阳电池。本发明中经过离子共掺杂后，铜基吸收层薄膜的带隙拓宽，电池的开路电压得到大幅提升，因此使效率获得提升。采用碱金属硫化物对铜基薄膜进行共掺杂的工艺简单，降低了太阳电池的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 吸收 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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