[发明专利]提高线性离子阱CID效率的方法在审
| 申请号： | 202310022787.0 | 申请日： | 2023-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN116013759A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 朱爽;段炼;马乔;刘立鹏;韩双来 | 申请（专利权）人： | 杭州谱育科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01J49/00 | 分类号： | H01J49/00;H01J49/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 311305 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了提高线性离子阱CID效率的方法，所述提高线性离子阱CID效率的方法为：在所述线性离子阱的离子入口端和出口端的端盖电极上施加直流电压，直流电压幅值大于所述离子阱的柱状电极上的直流电压幅值；切换一个或二个端盖电极上的电压幅值，使得二个端盖电极间相对电位从正值切换为负值；线性离子阱内的离子在二个端盖电极之间沿着离子阱的轴向来回移动，提高了CID效率。本发明具有CID效率高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 线性 离子 cid 效率 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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