[发明专利]一种GaAs FP激光芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202310010500.2 | 申请日： | 2023-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN115693403A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 周少丰;丁亮;刘鹏;陈华为;黄良杰 | 申请（专利权）人： | 深圳市星汉激光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/22 |
| 代理公司： | 武汉瑞创星知识产权代理事务所(普通合伙) 42274 | 代理人： | 曹雄 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市宝安区福海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaAs FP激光芯片及其制备方法，所述激光芯片沿着外延生长方向依次包括衬底层（101）、下限制层（102）、下波导层（103）、量子阱有源区（104）、上波导层（105）、上限制层（106）、脊波导层（107），所述衬底层下方设置有阴极电极（109），所述脊波导层（107）上方设置有阳极电极（110），其特征在于，所述脊波导层（107）的中间部分突出以在两侧形成台阶状结构，所述台阶状结构上设有高绝缘介质（108），所述高绝缘介质（108）的厚度等于所述台阶状结构的深度。本发明提供的一种GaAs FP激光芯片，通过在GaAs基激光芯片的脊波导层（107）两侧的台阶状结构使用高绝缘介质，可以抑制横向电流，提高器件效率，提高了激光芯片的工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas fp 激光 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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