[发明专利]用于扩散阻挡层形成的方法和湿式化学组成在审
| 申请号： | 202280017927.9 | 申请日： | 2022-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN116941027A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | R·W·赫图比斯;E·亚科布森;孙绍鹏;T·L·威尔金斯;埃利·H·纳贾尔;邵文波 | 申请（专利权）人： | 麦克德米德乐思公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 李敏灵;臧建明 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供了一种通过湿式工艺在电介质或半导体衬底上形成扩散阻挡层的方法。该方法包括以下步骤：用水性预处理溶液处理该电介质或半导体衬底，该水性预处理溶液包含一种或多种吸附促进成分并且能够制备用于在其上沉积该扩散阻挡层的衬底；以及使经处理的电介质或半导体衬底与包含锰化合物和无机pH缓冲液(任选地，含有一种或多种掺杂金属)的沉积溶液接触以在该电介质或半导体衬底上沉积该扩散阻挡层，其中该扩散阻挡层包含锰氧化物。还包括一种用于处理电介质或半导体基板以在其上形成扩散阻挡层的两部分试剂盒。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 扩散 阻挡 形成 方法 化学 组成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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