[发明专利]甲类放大装置在审
| 申请号： | 202280014520.0 | 申请日： | 2022-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN116940895A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 郭桥石;刘建德;李永东 | 申请（专利权）人： | 郭桥石 |
| 主分类号： | G03F1/30 | 分类号： | G03F1/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 511447 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种甲类放大装置，特别是一种利用能量源串联在电路中消除全控型器件截止，且高能效、满足高动态甲类输出的甲类放大装置，其包括用于放大的器件，器件包括第一器件和第二器件，第一器件与第二器件组成推挽放大电路，还包括二极管、一能量源；还包括二极管、一能量源；器件的第一电极、器件的第二电极与能量源串联，二极管与能量源并联。本发明设计合理，具有实施方便，高能效，甲类输出动态范围大的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 放大 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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- 甲类放大装置-202280014520.0
- 郭桥石;刘建德;李永东 - 郭桥石
- 2022-10-12 - 2023-10-24 - G03F1/30
- 本发明涉及一种甲类放大装置，特别是一种利用能量源串联在电路中消除全控型器件截止，且高能效、满足高动态甲类输出的甲类放大装置，其包括用于放大的器件，器件包括第一器件和第二器件，第一器件与第二器件组成推挽放大电路，还包括二极管、一能量源；还包括二极管、一能量源；器件的第一电极、器件的第二电极与能量源串联，二极管与能量源并联。本发明设计合理，具有实施方便，高能效，甲类输出动态范围大的优点。
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
