[实用新型]一种熔断器熔体结构有效

专利信息
申请号: 202223335032.6 申请日: 2022-12-12
公开(公告)号: CN218826938U 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 相骁 申请(专利权)人: 西安中熔电气股份有限公司
主分类号: H01H85/08 分类号: H01H85/08
代理公司: 西安乾方知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 61259 代理人: 胡思棉
地址: 710075 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及电路保护领域,具体指一种熔断器熔体结构,在所述熔体上设置有狭颈密集区域,在所述狭颈密集区域两侧的熔体上分别设置有狭颈松散区域;所述狭颈密集区域包括数个密集设置的狭颈,所述狭颈松散区域包括数个分布松散的狭颈;所述狭颈密集区域中沿熔体长度方向相邻两狭颈间距小于所述狭颈松散区域中沿熔体长度方向相邻两狭颈间距。本发明的熔体结构,实现熔断器的过载和短路双重保护。
搜索关键词: 一种 熔断器 结构
【主权项】:
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