[实用新型]一种新型结构的光电耦合器有效
申请号: | 202223319569.3 | 申请日: | 2022-12-09 |
公开(公告)号: | CN218827155U | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 赖海江;陶利春 | 申请(专利权)人: | 安芯微半导体技术(深圳)股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0203;H01L31/0232 |
代理公司: | 深圳市隆腾源知识产权代理有限公司 44927 | 代理人: | 李利 |
地址: | 广东省深圳市南山区西丽街道曙光社区*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本实用新型适用于光耦技术改进领域,提供了一种新型结构的光电耦合器,所述新型结构的光电耦合器包括发光器件30及受光器件40,将发光器件30和受光器件40分别安装在发光支架50和受光支架60上,其发光器件30的输出光侧与受光器件40的输入光侧相对设置,在发光器件30与受光器件40之间设置有透明绝缘体隔离,在透明绝缘体隔离中设有透镜90,透镜90将发光器件30的光源聚束发送到受光器件40输入光侧。使得接收到的光束更加稳定。降低了能耗,缩小了整体体积,提高了光电耦合度,延长了光电耦合器的使用寿命,降低了光电耦合器的制造成本,并且光电耦合器中的电池的制作过程基本无污染,有利于环保。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 结构 光电 耦合器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的