[实用新型]双层光芯片及光芯片与光纤耦合的耦合接口结构有效
申请号: | 202223037755.8 | 申请日: | 2022-11-15 |
公开(公告)号: | CN218497188U | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | 杜江兵;王兆年;何祖源 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | G02B6/12 | 分类号: | G02B6/12;G02B6/42 |
代理公司: | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人: | 高璀璀 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种双层光芯片及光芯片与光纤耦合的耦合接口结构,所述双层光芯片,所述双层光芯片为层状结构,双层光芯包括依次由下至上设置的第一衬底层、第二衬底层、下层波导、第一隔离层、上层波导、第二隔离层以及片上热源;所述第一衬底层用于支撑整个光芯片的结构强度以及隔绝外部光信号;第二衬底层向下层波导提供依托,同时避免上层波导与下层波导中的光场泄露进入第一衬底层;片上热源用于向上层波导与下层波导施加热效应。本实用新型能够实现耦合光场在上下光波导层之间按需切换的效果,从而提高3D集成光芯片整体的工作性,并且能够在实现耦合光场在上下光波导层之间按需切换效果的同时,能够达到提升光芯片耦合效率的目的。 | ||
搜索关键词: | 双层 芯片 光纤 耦合 接口 结构 | ||
【主权项】:
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