[实用新型]一种降低QFN封装焊接空洞率的焊盘结构有效
| 申请号： | 202223002594.9 | 申请日： | 2022-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN218483025U | 公开（公告）日： | 2023-02-14 |
| 发明（设计）人： | 马磊;张帅 | 申请（专利权）人： | 成都复锦功率半导体技术发展有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/11 | 分类号： | H05K1/11 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 吴桂芝 |
| 地址： | 610212 四川省成都市中国(四川)*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种降低QFN封装焊接空洞率的焊盘结构，属于封装技术领域，包括PCB板，PCB板上设有中央焊盘，所述中央焊盘上设有多个开口，多个开口互联贯通形成散气通道，散气通道延伸至中央焊盘边缘。进一步地，开口内部设有孤岛焊盘。本实用新型通过在大面积中央焊盘上设置多个开口，并使多个开口之间贯通形成散气通道，能够使助焊剂中的气体通过开口以及散气通道逸出，降低了QFN封装的空洞率，同时保证了结构的散热性能。另外，通过设置孤岛焊盘，在不影响排气同时，各独立的孤岛焊盘提高了焊接的可靠性，同时提高了QFN封装的散热效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 qfn 封装 焊接 空洞 盘结 | ||
【主权项】：
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