[实用新型]电容结构有效
| 申请号： | 202222105082.9 | 申请日： | 2022-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN218831252U | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 邹道华;高谷信一郎;刘昱玮;黄仁耀 | 申请（专利权）人： | 常州承芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张瑞 |
| 地址： | 213166 江苏省常州市武*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种电容结构，包括：衬底；位于所述衬底上的第一电极层，所述第一电极层在所述衬底上具有第一投影图形；位于所述第一电极层上的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的第二电极层，所述第二电极层在所述衬底上具有第二投影图形，所述第二投影图形的各边内缩于所述第一投影图形的投影范围内。由于第二电极层的第二投影图形的各边内缩于第一电极层的第一投影图形的投影范围内，因此第一电极层和第二电极层的相对应的各边沿在垂直于所述衬底表面的方向相互错开，避免所述第一电极层和所述第二电极层的边沿放电在垂直于所述衬底表面方向形成正对，减少由于正对的放电击穿所述第一绝缘层的问题，提升所述电容结构的击穿电压和电容结构的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 结构 | ||
【主权项】：
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