[实用新型]一种准单片集成氮化镓功率倍增功率放大器有效
| 申请号： | 202221046251.X | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN217159657U | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 吴健;王亚锋;陈耀;吴矗;张周平;蔡慧 | 申请（专利权）人： | 深圳市万和科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/213 | 分类号： | H03F3/213;H01L25/07;H01L23/373;H01L23/367 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 何路;杨石 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区宝龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种准单片集成氮化镓功率倍增功率放大器，包括设置于PCB板上的两个砷化镓HEMT管芯芯片、两个氮化镓FET管芯芯片、直流偏置及控制补偿模块、射频匹配模块、巴伦，所述PCB板设置有钼铜载体，两个所述砷化镓HEMT管芯芯片和两个所述氮化镓FET管芯芯片设置于于所述钼铜载体上。本实用新型采用钼铜载体作为砷化镓HEMT管芯芯片和氮化镓FET管芯芯片的载体，提高散热能力和接地性能，减少成本，采用砷化镓和氮化镓芯片以替代现有技术中的纯氮化镓技术，由于砷化镓PHEMT管芯芯片的成本远低于氮化镓芯片，使得本实用新型的成本相对于现有技术更低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单片 集成 氮化 功率 倍增 功率放大器 | ||
【主权项】：
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