[实用新型]一种降低IGBT驱动损耗的电路有效

专利信息
申请号: 202221026811.5 申请日: 2022-04-28
公开(公告)号: CN217216357U 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 代同振;代高强;王新;何凤喜;邱序涛;石磊 申请(专利权)人: 成都复锦功率半导体技术发展有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M1/00
代理公司: 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 代理人: 吴桂芝
地址: 610212 四川省成都市中国(四川)*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型公开了一种降低IGBT驱动损耗的电路,属于半导体器件控制技术领域,包括顺次连接的电流方向采集单元、电流方向判断单元和驱动调节单元,电流方向采集单元与IGBT所在电路连接;驱动调节单元与IGBT的驱动信号生成单元的输出端连接,且驱动调节单元输出端与IGBT的栅极连接,用于在实时电流方向与IGBT的正向导流方向不一致时,使IGBT处于关断状态,避免IGBT在其反并联二极管导流期间的开关动作,降低驱动损耗,提升电路整体效率。
搜索关键词: 一种 降低 igbt 驱动 损耗 电路
【主权项】:
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