[实用新型]一种CMOS开关非线性补偿结构有效
| 申请号： | 202220911629.1 | 申请日： | 2022-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN217363057U | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 罗红瑞;孙权;张龙;袁婷;焦子豪 | 申请（专利权）人： | 西安航天民芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/06 | 分类号： | H03M1/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 马贵香 |
| 地址： | 710065 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种CMOS开关非线性补偿结构，包括第一N型MOS管、第二N型MOS管、第三N型MOS管、第四N型MOS管、第五N型MOS管、第六N型MOS管、第七N型MOS管、第八N型MOS管、第一型电容C1、第二型电容C2、第三型电容C3和比较器；本实用新型在普通CMOS开关非线性补偿结构的基础上增加了第二路补偿路径用于补偿第一路补偿路径造成的共模波动和噪声水平上升的问题，利用两个补偿电容C2和C3采样后进行串联，抵消了采样信号，只保留输入信号相关的非线性信号，从而实现了输入非线性抵消。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 开关 非线性 补偿 结构 | ||
【主权项】：
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